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Texas Instruments TPS1100DR

Numero parte MFG
TPS1100DR
quantità disponibile
47250 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.51744
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TPS1100DR specificazioni

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Numero di parte futuro FT-TPS1100DR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TPS1100DR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Vgs (massimo) +2V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 791mW (Ta)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1100DR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TPS1100DR-FT

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