casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TPN6R303NC,LQ
codice articolo del costruttore | TPN6R303NC,LQ |
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Numero di parte futuro | FT-TPN6R303NC,LQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII |
TPN6R303NC,LQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN6R303NC,LQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPN6R303NC,LQ-FT |
SPP07N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP12N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP80N06S08NK
Infineon Technologies
SPS02N60C3BKMA1
Infineon Technologies
SPS03N60C3
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel