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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R805PL,L1Q
Price: 0.32256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (74 reviews)

Numero parte MFG: TPN2R805PL,L1Q

quantità disponibile: 71770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.32256

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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPN2R805PL,L1Q.pdf

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TPN2R805PL,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore	TPN2R805PL,L1Q
Numero di parte futuro	FT-TPN2R805PL,L1Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TPN2R805PL,L1Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	139A (Ta), 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2R805PL,L1Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPN2R805PL,L1Q-FT

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