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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R503NC,L1Q

Name: TPN2R503NC,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R503NC,L1Q
Price: 0.4368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (727 reviews)

Numero parte MFG: TPN2R503NC,L1Q

quantità disponibile: 38700 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.4368

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVIII MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPN2R503NC,L1Q.pdf

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TPN2R503NC,L1Q specificazioni

codice articolo del costruttore	TPN2R503NC,L1Q
Numero di parte futuro	FT-TPN2R503NC,L1Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII
TPN2R503NC,L1Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2230pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 35W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2R503NC,L1Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPN2R503NC,L1Q-FT

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