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Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q
- Numero parte MFG
- TPH4R10ANL,L1Q
- quantità disponibile
- 27330 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.5432
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TPH4R10ANL,L1Q.pdf
TPH4R10ANL,L1Q specificazioni
| codice articolo del costruttore | TPH4R10ANL,L1Q |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TPH4R10ANL,L1Q |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVIII-H |
| TPH4R10ANL,L1Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 92A (Ta), 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6.3nF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 67W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPH4R10ANL,L1Q Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TPH4R10ANL,L1Q-FT |
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