casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD4EUSB30DQAR
codice articolo del costruttore | TPD4EUSB30DQAR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD4EUSB30DQAR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD4EUSB30DQAR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 4 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 1A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 45W |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-USON (2.5x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4EUSB30DQAR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD4EUSB30DQAR-FT |
DF3A5.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
M7A3P1000-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
10AX032H4F34E3SG
Intel
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
Intel
EP4SGX360HF35C3
Intel