casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD4E02B04QDQARQ1
codice articolo del costruttore | TPD4E02B04QDQARQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-TPD4E02B04QDQARQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD4E02B04QDQARQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 4 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 17W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | 0.25pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-USON (2.5x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E02B04QDQARQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD4E02B04QDQARQ1-FT |
DF3A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6F6.8MCTC(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S100E-6TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC6SLX75-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC3090L-8PC84C
Xilinx Inc.
5AGXBA5D4F35I5N
Intel