casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD4E02B04QDQARQ1
codice articolo del costruttore | TPD4E02B04QDQARQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-TPD4E02B04QDQARQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD4E02B04QDQARQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 4 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 17W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | 0.25pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-USON (2.5x1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E02B04QDQARQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD4E02B04QDQARQ1-FT |
DF3A6.8F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6F6.8MCTC(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6LFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C120F484C7N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC6SLX25-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324I7G
Intel
10M16DAU324I7G
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel