casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD4E001DRSR
codice articolo del costruttore | TPD4E001DRSR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD4E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD4E001DRSR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 4 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 11V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | 100W |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | Ethernet |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SON-EP (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E001DRSR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD4E001DRSR-FT |
DF2B6USL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX04-VQG80A
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
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ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484C6
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
XC5VLX30-2FF324I
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XC2VP40-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation