casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E1B04DPYT
codice articolo del costruttore | TPD1E1B04DPYT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TPD1E1B04DPYT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E1B04DPYT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.4V (Typ) |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.5V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 6.3A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 50W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 1pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E1B04DPYT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E1B04DPYT-FT |
SMP3022-01ETGTR
SMC Diode Solutions
DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage