casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E10B06QDPYRQ1
codice articolo del costruttore | TPD1E10B06QDPYRQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E10B06QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B06QDPYRQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 14V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 6A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 90W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | 12pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B06QDPYRQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E10B06QDPYRQ1-FT |
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-12E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC484-1X
Intel
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84
Microsemi Corporation
A42MX24-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3LG
Intel
EP3C55F780C7
Intel
EP4CE75F29I7
Intel