casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E0B04DPLT
codice articolo del costruttore | TPD1E0B04DPLT |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E0B04DPLT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E0B04DPLT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.7V (Typ) |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 10.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 1.7A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 15W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | RF Antenna |
Capacità @ frequenza | 0.13pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X2SON (0.6x0.3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E0B04DPLT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E0B04DPLT-FT |
DF2B6.8ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SMP3022-01ETGTR
SMC Diode Solutions
DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel