casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E04U04DPYT
codice articolo del costruttore | TPD1E04U04DPYT |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E04U04DPYT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E04U04DPYT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Steering (Rail to Rail) |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 4.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.9V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2.5A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 19W |
Protezione della linea di alimentazione | Yes |
applicazioni | HDMI |
Capacità @ frequenza | 0.5pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E04U04DPYT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E04U04DPYT-FT |
DF2S5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SMP3022-01ETGTR
SMC Diode Solutions
DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel