casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E01B04DPYR
codice articolo del costruttore | TPD1E01B04DPYR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E01B04DPYR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E01B04DPYR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 15V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2.5A |
Potenza - Peak Pulse | 27W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.2pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E01B04DPYR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E01B04DPYR-FT |
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8UFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I3
Intel
5SGSED8K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2SG
Intel
EP2SGX130GF40C5
Intel