casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPD1E01B04DPYR
codice articolo del costruttore | TPD1E01B04DPYR |
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Numero di parte futuro | FT-TPD1E01B04DPYR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPD1E01B04DPYR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 15V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2.5A |
Potenza - Peak Pulse | 27W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.2pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E01B04DPYR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPD1E01B04DPYR-FT |
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8UFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel