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Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H(TE85L,F

Name: TPCP8003-H(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCP8003-H(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 4.9 (44 reviews)

Numero parte MFG: TPCP8003-H(TE85L,F

quantità disponibile: 86900 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIII-H MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPCP8003-H(TE85L,F.pdf

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TPCP8003-H(TE85L,F specificazioni

codice articolo del costruttore	TPCP8003-H(TE85L,F
Numero di parte futuro	FT-TPCP8003-H(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII-H
TPCP8003-H(TE85L,F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	840mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PS-8 (2.9x2.4)
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCP8003-H(TE85L,F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPCP8003-H(TE85L,F-FT

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