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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8115(TE12L,Q,M)

Name: TPC8115(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8115(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (348 reviews)

Numero parte MFG: TPC8115(TE12L,Q,M)

quantità disponibile: 66150 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPC8115(TE12L,Q,M).pdf

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TPC8115(TE12L,Q,M) specificazioni

codice articolo del costruttore	TPC8115(TE12L,Q,M)
Numero di parte futuro	FT-TPC8115(TE12L,Q,M)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TPC8115(TE12L,Q,M) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9130pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8115(TE12L,Q,M) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPC8115(TE12L,Q,M)-FT

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