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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113(TE12L,Q)
- Numero parte MFG
- TPC8113(TE12L,Q)
- quantità disponibile
- 61340 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TPC8113(TE12L,Q).pdf
TPC8113(TE12L,Q) specificazioni
| codice articolo del costruttore | TPC8113(TE12L,Q) |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TPC8113(TE12L,Q) |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| TPC8113(TE12L,Q) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC8113(TE12L,Q) Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TPC8113(TE12L,Q)-FT |
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