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Transphorm TP65H050WS

Name: TP65H050WS
Brand: Transphorm
SKU: TP65H050WS
Price: 12.952 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (655 reviews)

Numero parte MFG: TP65H050WS

quantità disponibile: 94160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 12.952

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Transphorm

Breve descrizione: - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TP65H050WS.pdf

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TP65H050WS specificazioni

codice articolo del costruttore	TP65H050WS
Numero di parte futuro	FT-TP65H050WS
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TP65H050WS Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	119W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TP65H050WS Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TP65H050WS-FT

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