casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TP65H035WS
codice articolo del costruttore | TP65H035WS |
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Numero di parte futuro | FT-TP65H035WS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TP65H035WS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP65H035WS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TP65H035WS-FT |
IRF9610L
Vishay Siliconix
IRF9620L
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
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LFXP3E-5QN208C
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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