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codice articolo del costruttore | TO1608-101M |
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Numero di parte futuro | FT-TO1608-101M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TO1608 |
TO1608-101M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.27 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 9MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TO1608-101M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TO1608-101M-FT |
T1008-2R7G
Tamura
T1008-33NG
Tamura
T1008-39NG
Tamura
T1008-3R9G
Tamura
T1008-47NG
Tamura
T1008-4N7G
Tamura
T1008-4R7G
Tamura
T1008-56NG
Tamura
T1008-5R6G
Tamura
T1008-68NG
Tamura
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel