casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TN0620N3-G-P002
codice articolo del costruttore | TN0620N3-G-P002 |
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Numero di parte futuro | FT-TN0620N3-G-P002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0620N3-G-P002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0620N3-G-P002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TN0620N3-G-P002-FT |
ZVN3320A
Diodes Incorporated
TN0702N3-G
Microchip Technology
VN2106N3-G
Microchip Technology
DN2540N3-G
Microchip Technology
TN0604N3-G
Microchip Technology
LND150N3-G-P003
Microchip Technology
VN0109N3-G
Microchip Technology
TN5325N3-G
Microchip Technology
VN0104N3-G
Microchip Technology
ZVN4310A
Diodes Incorporated
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel