casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TN0604N3-G-P005
codice articolo del costruttore | TN0604N3-G-P005 |
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Numero di parte futuro | FT-TN0604N3-G-P005 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0604N3-G-P005 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0604N3-G-P005 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TN0604N3-G-P005-FT |
ZVN2106ASTZ
Diodes Incorporated
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106A
Diodes Incorporated
ZVN3306A
Diodes Incorporated
ZVN4424A
Diodes Incorporated
2N7000BU
ON Semiconductor
ZVN4206A
Diodes Incorporated
BS270
ON Semiconductor
ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN0124A
Diodes Incorporated
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel