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Microchip Technology TN0106N3-G-P003

Numero parte MFG
TN0106N3-G-P003
quantità disponibile
79760 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.51088
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fabbricante
Microchip Technology
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-TN0106N3-G-P003
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TN0106N3-G-P003 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TN0106N3-G-P003 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TN0106N3-G-P003-FT

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