casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TN0104N3-G-P014
codice articolo del costruttore | TN0104N3-G-P014 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TN0104N3-G-P014 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0104N3-G-P014 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 450mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0104N3-G-P014 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TN0104N3-G-P014-FT |
ZVP3310A
Diodes Incorporated
ZVNL120A
Diodes Incorporated
ZVN3320A
Diodes Incorporated
TN0702N3-G
Microchip Technology
VN2106N3-G
Microchip Technology
DN2540N3-G
Microchip Technology
TN0604N3-G
Microchip Technology
LND150N3-G-P003
Microchip Technology
VN0109N3-G
Microchip Technology
TN5325N3-G
Microchip Technology
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel