casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TMPG06-33AHE3_A/B
codice articolo del costruttore | TMPG06-33AHE3_A/B |
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Numero di parte futuro | FT-TMPG06-33AHE3_A/B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-33AHE3_A/B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 29.1V |
Voltage - Breakdown (Min) | 31.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 45.7V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 8.8A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-33AHE3_A/B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMPG06-33AHE3_A/B-FT |
BZT03D15-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D160-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D160-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D180-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel