casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TMPG06-22AHE3_A/B
codice articolo del costruttore | TMPG06-22AHE3_A/B |
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Numero di parte futuro | FT-TMPG06-22AHE3_A/B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-22AHE3_A/B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 18.8V |
Voltage - Breakdown (Min) | 20.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 30.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 13.1A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-22AHE3_A/B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMPG06-22AHE3_A/B-FT |
BZT03D10-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D11-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D11-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D110-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D120-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D120-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation