casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TMPG06-12AHE3_A/B
codice articolo del costruttore | TMPG06-12AHE3_A/B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TMPG06-12AHE3_A/B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-12AHE3_A/B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 10.2V |
Voltage - Breakdown (Min) | 11.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 16.7V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 24A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-12AHE3_A/B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMPG06-12AHE3_A/B-FT |
BZT03C51-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C68-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V2-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V2-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V8-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V8-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C75-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel