casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TMPG06-11AHE3_A/D
codice articolo del costruttore | TMPG06-11AHE3_A/D |
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Numero di parte futuro | FT-TMPG06-11AHE3_A/D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-11AHE3_A/D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 9.4V |
Voltage - Breakdown (Min) | 10.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 15.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 25.6A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-11AHE3_A/D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMPG06-11AHE3_A/D-FT |
BZT03C47-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C51-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C68-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V2-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V2-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V8-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V8-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel