casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TMPG06-11AHE3_A/B
codice articolo del costruttore | TMPG06-11AHE3_A/B |
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Numero di parte futuro | FT-TMPG06-11AHE3_A/B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-11AHE3_A/B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 9.4V |
Voltage - Breakdown (Min) | 10.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 15.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 25.6A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-11AHE3_A/B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMPG06-11AHE3_A/B-FT |
BZT03C39-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C47-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C51-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C68-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V2-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C6V2-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100I
Microsemi Corporation
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX110-1FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-2N
Intel