casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TMPG06-10AHE3_A/B
codice articolo del costruttore | TMPG06-10AHE3_A/B |
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Numero di parte futuro | FT-TMPG06-10AHE3_A/B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-10AHE3_A/B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 8.55V |
Voltage - Breakdown (Min) | 9.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 14.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 27.6A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-10AHE3_A/B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TMPG06-10AHE3_A/B-FT |
BZT03C300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C39-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C47-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C51-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-FPQ208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
5SGXEA7K2F35I2N
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC5VSX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.