casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK9A65W,S5X
codice articolo del costruttore | TK9A65W,S5X |
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Numero di parte futuro | FT-TK9A65W,S5X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK9A65W,S5X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK9A65W,S5X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK9A65W,S5X-FT |
IRFIBC30G
Vishay Siliconix
IRFIBC40GLC
Vishay Siliconix
IRFIBE20G
Vishay Siliconix
IRFIBE30G
Vishay Siliconix
IRFIBF20G
Vishay Siliconix
IRFIBF30G
Vishay Siliconix
IRFIBG20G
Vishay Siliconix
IRFIZ14G
Vishay Siliconix
IRFIZ24EPBF
Infineon Technologies
IRFIZ24G
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel