casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK31J60W5,S1VQ
codice articolo del costruttore | TK31J60W5,S1VQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK31J60W5,S1VQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK31J60W5,S1VQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(N) |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK31J60W5,S1VQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK31J60W5,S1VQ-FT |
2SK2719(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2744(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2847(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2916(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2917(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2967(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2995(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3128(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3746
ON Semiconductor
2SK3906(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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