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Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ

Name: TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK160F10N1L,LQ
Price: 1.07416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (701 reviews)

Numero parte MFG: TK160F10N1L,LQ

quantità disponibile: 82480 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.07416

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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK160F10N1L,LQ.pdf

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TK160F10N1L,LQ specificazioni

codice articolo del costruttore	TK160F10N1L,LQ
Numero di parte futuro	FT-TK160F10N1L,LQ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TK160F10N1L,LQ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SM(W)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK160F10N1L,LQ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK160F10N1L,LQ-FT

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