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Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ
- Numero parte MFG
- TK160F10N1L,LQ
- quantità disponibile
- 82480 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.07416
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- TK160F10N1L,LQ.pdf
TK160F10N1L,LQ specificazioni
| codice articolo del costruttore | TK160F10N1L,LQ |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-TK160F10N1L,LQ |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVIII-H |
| TK160F10N1L,LQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10100pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SM(W) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK160F10N1L,LQ Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | TK160F10N1L,LQ-FT |
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