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Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X

Name: TK12E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E80W,S1X
Price: 2.64 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (111 reviews)

Numero parte MFG: TK12E80W,S1X

quantità disponibile: 37750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.64

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: DTMOSIV MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK12E80W,S1X.pdf

TK12E80W,S1X specificazioni

codice articolo del costruttore	TK12E80W,S1X
Numero di parte futuro	FT-TK12E80W,S1X
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV
TK12E80W,S1X Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 570µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 300V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	165W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12E80W,S1X Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK12E80W,S1X-FT

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