casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK100A08N1,S4X
codice articolo del costruttore | TK100A08N1,S4X |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TK100A08N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK100A08N1,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK100A08N1,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK100A08N1,S4X-FT |
ZDX050N50
Rohm Semiconductor
TK750A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6030ENX
Rohm Semiconductor
IRLIZ44GPBF
Vishay Siliconix
2SK3046
Panasonic Electronic Components
IPA057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IRFIBF30GPBF
Vishay Siliconix
R6015ANX
Rohm Semiconductor
RCX100N25
Rohm Semiconductor
IRFI740GPBF
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel