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codice articolo del costruttore | TISP4360MMAJR-S |
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Numero di parte futuro | FT-TISP4360MMAJR-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TISP4360MMAJR-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tensione - Breakover | 360V |
Voltaggio - Off State | 290V |
Tensione - Acceso | - |
Corrente - Impulso di picco (8 / 20μs) | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 50A |
Corrente: attesa (Ih) | 150mA |
Numero di elementi | 1 |
Capacità | 40pF (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TISP4360MMAJR-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TISP4360MMAJR-S-FT |
TB2600H-13-F
Diodes Incorporated
TB2600M-13-F
Diodes Incorporated
TB3500H-13-F
Diodes Incorporated
TB0640L-13-F
Diodes Incorporated
TB0720M-13-F
Diodes Incorporated
TB1100M-13-F
Diodes Incorporated
TB1300M-13-F
Diodes Incorporated
TB1500H-13-F
Diodes Incorporated
TB1500M-13-F
Diodes Incorporated
TB1800H-13-F
Diodes Incorporated
XC3S1600E-4FGG320I
Xilinx Inc.
XC2VP7-7FGG456C
Xilinx Inc.
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP2S30F672C3
Intel
EP20K300EBC672-2X
Intel
5SGXEA4K2F40I2N
Intel
LCMXO2-2000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31C5N
Intel
EP3SE50F780C4N
Intel