casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / TIS93_J35Z
codice articolo del costruttore | TIS93_J35Z |
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Numero di parte futuro | FT-TIS93_J35Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TIS93_J35Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TIS93_J35Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TIS93_J35Z-FT |
PN200A_D75Z
ON Semiconductor
PN200RM
ON Semiconductor
PN200_D26Z
ON Semiconductor
PN200_D27Z
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PN200_D74Z
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PN200_D75Z
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