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codice articolo del costruttore | THS4151IDGNR |
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Numero di parte futuro | FT-THS4151IDGNR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
THS4151IDGNR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di amplificatore | Differential |
Numero di circuiti | 1 |
Tipo di uscita | Differential |
Velocità di risposta | 650V/µs |
Ottieni il prodotto larghezza di banda | 340MHz |
-3 dB di larghezza di banda | 150MHz |
Corrente - Input Bias | 4.3µA |
Voltage - Input Offset | 1.1mV |
Corrente - Fornitura | 17.5mA |
Corrente - Uscita / Canale | 85mA |
Tensione - Alimentazione, singola / doppia (±) | 4V ~ 33V, ±2V ~ 16.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP-PowerPad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THS4151IDGNR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | THS4151IDGNR-FT |
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LME49726MY/NOPB
Texas Instruments
LFE2-12E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400E-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
XC7VX980T-1FF1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
XC4VLX80-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP2AGX125EF29C6G
Intel