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codice articolo del costruttore | THS4151IDGKR |
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Numero di parte futuro | FT-THS4151IDGKR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
THS4151IDGKR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di amplificatore | Differential |
Numero di circuiti | 1 |
Tipo di uscita | Differential |
Velocità di risposta | 650V/µs |
Ottieni il prodotto larghezza di banda | 340MHz |
-3 dB di larghezza di banda | 150MHz |
Corrente - Input Bias | 4.3µA |
Voltage - Input Offset | 1.1mV |
Corrente - Fornitura | 17.5mA |
Corrente - Uscita / Canale | 85mA |
Tensione - Alimentazione, singola / doppia (±) | 4V ~ 33V, ±2V ~ 16.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THS4151IDGKR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | THS4151IDGKR-FT |
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LM833MM
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LMC6035IMM
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LMC8101MMX
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LMC8101MMX/NOPB
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LMH6504MM
Texas Instruments
XCS30XL-5PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN020V5-UCG81I
Microsemi Corporation
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2N
Intel