casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Tiristori / THBT20011D
codice articolo del costruttore | THBT20011D |
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Numero di parte futuro | FT-THBT20011D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | THBT, TRISIL™ |
THBT20011D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tensione - Breakover | 290V |
Voltaggio - Off State | 200V |
Tensione - Acceso | - |
Corrente - Impulso di picco (8 / 20μs) | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 30A |
Corrente: attesa (Ih) | 150mA |
Numero di elementi | 3 |
Capacità | 80pF |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THBT20011D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | THBT20011D-FT |
TISP61089BGDR-S
Bourns Inc.
TISP61089SDR-S
Bourns Inc.
TISP61511DR-S
Bourns Inc.
TISP7015DR
Bourns Inc.
TISP7015DR-S
Bourns Inc.
TISP7072F3DR
Bourns Inc.
TISP7082F3DR
Bourns Inc.
TISP7125F3DR
Bourns Inc.
TISP7150F3DR
Bourns Inc.
TISP7180F3DR
Bourns Inc.
APA450-FG484A
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
A1415A-VQ100M
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4N
Intel
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2XN
Intel