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codice articolo del costruttore | TGHHV50R0JE |
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Numero di parte futuro | FT-TGHHV50R0JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TGH |
TGHHV50R0JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 50 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 120W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±250ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Caratteristiche | Non-Inductive, Pulse Withstanding, RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.500" L x 0.980" W (38.10mm x 24.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.483" (12.26mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGHHV50R0JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TGHHV50R0JE-FT |
WFH90L2K7JE
Ohmite
WFH90L470JE
Ohmite
WFH90L5K0JE
Ohmite
WFH90L750JE
Ohmite
WFH230L250JE
Ohmite
WFH230L50RJE
Ohmite
WFH160L2R0KE
Ohmite
WFH160L150JE
Ohmite
WFH90L4R7KE
Ohmite
WFH160L150J
Ohmite
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
EP4S100G5F45I2N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31I5N
Intel