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codice articolo del costruttore | TGHHV33R0JE |
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Numero di parte futuro | FT-TGHHV33R0JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TGH |
TGHHV33R0JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 33 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 120W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±250ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Caratteristiche | Non-Inductive, Pulse Withstanding, RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.500" L x 0.980" W (38.10mm x 24.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.483" (12.26mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGHHV33R0JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TGHHV33R0JE-FT |
WFH160L2R0KE
Ohmite
WFH160L150JE
Ohmite
WFH90L4R7KE
Ohmite
WFH160L150J
Ohmite
WFH160L1R0K
Ohmite
WFH160L250J
Ohmite
WFH160L2R0K
Ohmite
WFH160L50RJ
Ohmite
WFH160LR47K
Ohmite
WFH230L100J
Ohmite
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676I
Xilinx Inc.
EPF10K100EFC256-2
Intel
XC4VLX15-10FF676C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PL84
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2
Intel