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codice articolo del costruttore | TGHHV1R00JE |
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Numero di parte futuro | FT-TGHHV1R00JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TGH |
TGHHV1R00JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 120W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±250ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Caratteristiche | Non-Inductive, Pulse Withstanding, RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.500" L x 0.980" W (38.10mm x 24.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.483" (12.26mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGHHV1R00JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TGHHV1R00JE-FT |
WFH160L150J
Ohmite
WFH160L1R0K
Ohmite
WFH160L250J
Ohmite
WFH160L2R0K
Ohmite
WFH160L50RJ
Ohmite
WFH160LR47K
Ohmite
WFH230L100J
Ohmite
WFH230L10RK
Ohmite
WFH230L1K5J
Ohmite
WFH230L1R0K
Ohmite
EP2C5T144C7N
Intel
A54SX32A-TQ144M
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P125-1FGG144
Microsemi Corporation
EP3SE80F780C4N
Intel