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codice articolo del costruttore | TGHHV10R0JE |
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Numero di parte futuro | FT-TGHHV10R0JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TGH |
TGHHV10R0JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 120W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±250ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Caratteristiche | Non-Inductive, Pulse Withstanding, RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.500" L x 0.980" W (38.10mm x 24.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.483" (12.26mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGHHV10R0JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TGHHV10R0JE-FT |
WFH230L1K5JE
Ohmite
WFH230L1R0KE
Ohmite
WFH230L2K5JE
Ohmite
WFH230L5R0KE
Ohmite
WFH330L100JE
Ohmite
WFH330L10KJE
Ohmite
WFH330L10RKE
Ohmite
WFH330L150JE
Ohmite
WFH330L250JE
Ohmite
WFH330L27RJE
Ohmite
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG256I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C7
Intel
EP3C5F256C6
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel