casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / TFM201610ALMA2R2MTAA
codice articolo del costruttore | TFM201610ALMA2R2MTAA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TFM201610ALMA2R2MTAA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TFM-ALMA |
TFM201610ALMA2R2MTAA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.9A |
Corrente - Saturazione | 2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 152 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TFM201610ALMA2R2MTAA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TFM201610ALMA2R2MTAA-FT |
VLS3012HBX-R47M
TDK Corporation
VLS3012HBX-R68M
TDK Corporation
VLS3012HBX-1R0M
TDK Corporation
VLS3012HBX-1R5M
TDK Corporation
VLS3012HBX-220M
TDK Corporation
VLS3012HBX-2R2M
TDK Corporation
VLS3012HBX-3R3M
TDK Corporation
VLS3012HBX-4R7M
TDK Corporation
VLS3012CX-1R0M-1
TDK Corporation
VLS3012CX-220M-1
TDK Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel