casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TEH100M20R0JE
codice articolo del costruttore | TEH100M20R0JE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TEH100M20R0JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M20R0JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | 50ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Dimensione / Dimensione | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.825" (20.96mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M20R0JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TEH100M20R0JE-FT |
TFSF100KJE
Ohmite
TFSF100RJE
Ohmite
TFSF10K0JE
Ohmite
TFSF1K00JE
Ohmite
TFSF1K50JE
Ohmite
TFSF20K0JE
Ohmite
TFSF270RJE
Ohmite
TFSF51K0JE
Ohmite
TFSF750RJE
Ohmite
TFH85M1K00JE
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel