casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TEH100M10R0JE
codice articolo del costruttore | TEH100M10R0JE |
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Numero di parte futuro | FT-TEH100M10R0JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M10R0JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | 100ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Dimensione / Dimensione | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.825" (20.96mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M10R0JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TEH100M10R0JE-FT |
TFSD4K70JE
Ohmite
TFSD51K0JE
Ohmite
TFSD750RJE
Ohmite
TFSF100KJE
Ohmite
TFSF100RJE
Ohmite
TFSF10K0JE
Ohmite
TFSF1K00JE
Ohmite
TFSF1K50JE
Ohmite
TFSF20K0JE
Ohmite
TFSF270RJE
Ohmite
AGLN125V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
XC6VLX240T-1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX066H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F31C5N
Intel