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Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI4

Name: TC58BYG2S0HBAI4
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TC58BYG2S0HBAI4
Price: 4.272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (486 reviews)

Numero parte MFG: TC58BYG2S0HBAI4

quantità disponibile: 72240 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 4.272

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Memory America, Inc.

Breve descrizione: Benand™ 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TC58BYG2S0HBAI4.pdf

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TC58BYG2S0HBAI4 specificazioni

codice articolo del costruttore	TC58BYG2S0HBAI4
Numero di parte futuro	FT-TC58BYG2S0HBAI4
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Benand™
TC58BYG2S0HBAI4 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria	4G (512M x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	63-TFBGA (9x11)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TC58BYG2S0HBAI4 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TC58BYG2S0HBAI4-FT

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