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Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4

Numero parte MFG
TC58BYG0S3HBAI4
quantità disponibile
82480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.36
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descrizione
Benand™ 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TC58BYG0S3HBAI4 specificazioni

codice articolo del costruttore TC58BYG0S3HBAI4
Numero di parte futuro FT-TC58BYG0S3HBAI4
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Benand™
TC58BYG0S3HBAI4 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria -
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 63-TFBGA (9x11)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TC58BYG0S3HBAI4 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TC58BYG0S3HBAI4-FT

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