casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TA810PW82R0J
codice articolo del costruttore | TA810PW82R0J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TA810PW82R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW82R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 82 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW82R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW82R0J-FT |
TAH20P1R00J
Ohmite
TAH20P220RJ
Ohmite
TAH20P22R0J
Ohmite
TAH20P2K70J
Ohmite
TAH20P2R20J
Ohmite
TAH20P33R0J
Ohmite
TAH20P3R90J
Ohmite
TAH20P470RJ
Ohmite
TAH20P510RJ
Ohmite
TAH20P51R0J
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel