casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TA810PW33R0J
codice articolo del costruttore | TA810PW33R0J |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW33R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW33R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 33 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW33R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW33R0J-FT |
TA303PA1K50J
Ohmite
TA303PA1K80J
Ohmite
TA303PA200RJ
Ohmite
TA303PA20R0J
Ohmite
TA303PA24R0J
Ohmite
TA303PA270RJ
Ohmite
TA303PA27R0J
Ohmite
TA303PA2K00J
Ohmite
TA303PA2K50J
Ohmite
TA303PA33R0J
Ohmite
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
10AX022C3U19I2LG
Intel
5SGXEA3K3F35C2LN
Intel
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780I7
Intel
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel